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FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動(dòng)薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng)，光學(xué)膜厚儀用于全自動(dòng)圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測(cè)量。電動(dòng)X-Y載物臺(tái)提供適用尺寸 200mm x 200mm的行程，可在 200-1700nm 光譜范圍內(nèi)提供各種光學(xué)配置。
FR-Scanner-AllInOne-Mic-XY200 光學(xué)膜厚儀模塊化厚度測(cè)繪系統(tǒng)平臺(tái)，集成了先進(jìn)的光學(xué)、電子和機(jī)械模塊，用于表征圖案化薄膜光學(xué)參數(shù)。典型案例包括（但不限于）微圖案表面、粗糙表面等。
該機(jī)型光學(xué)模塊功能強(qiáng)大，可測(cè)量的光斑尺寸小至幾微米。真空吸盤(pán)支持尺寸/直徑達(dá) 200 毫米的各種晶圓。電動(dòng)平臺(tái)提供XY方向200 毫米的行程，在速度、精度和可重復(fù)性方面均有出色表現(xiàn)。
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200提供：
l 實(shí)時(shí)光譜反射率測(cè)量
l 薄膜厚度、光學(xué)特性、不均勻性測(cè)量、厚度測(cè)繪
l 使用集成的、USB連接的高質(zhì)量彩色相機(jī)進(jìn)行成像
l 測(cè)量參數(shù)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)
應(yīng)用：
大學(xué)，研究所，實(shí)驗(yàn)室
半導(dǎo)體（氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等）
MEMS器件（光刻膠、硅膜等）
LED、VCSEL、BAW、SAW濾波器
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
聚合物涂料、粘合劑等
生物醫(yī)療（聚丙烯、球囊壁厚等）
特點(diǎn)：
鼠標(biāo)點(diǎn)擊即可測(cè)量（不需要預(yù)估值）
動(dòng)態(tài)測(cè)量
測(cè)量包括光學(xué)常數(shù)（N&K）和色度
鼠標(biāo)點(diǎn)擊移動(dòng)和圖案測(cè)量位置對(duì)齊功能
提供離線分析軟件
軟件升級(jí)免費(fèi)
規(guī)格：
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Model |
UV/VIS |
UV/NIR -EX |
UV/NIR-HR |
D UV/NIR |
VIS/NIR |
D VIS/NIR |
NIR |
NIR-N2 | ||
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Spectral Range (nm) | 200 – 850 | 200 –1020 | 200-1100 | 200 – 1700 | 370 –1020 | 370 – 1700 | 900 – 1700 | 900 - 1050 | ||
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Spectrometer Pixels | 3648 | 3648 | 3648 | 3648 & 512 | 3648 | 3648 & 512 | 512 | 3648 | ||
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Thickness range (SiO2) *1 | 5X- VIS/NIR | 4nm – 60μm | 4nm – 70μm | 4nm – 100μm | 4nm – 150μm | 15nm – 90μm | 15nm–150μm | 100nm-150μm | 4um – 1mm | |
| 10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm – 50μm | 4nm – 60μm | 4nm – 80μm | 4nm – 130μm | 15nm – 80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | – | ||
| 15X- UV/NIR * | 4nm – 40μm | 4nm – 50μm | 4nm – 50μm | 4nm – 120μm | – | – | 100nm-100μm | – | ||
| 20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR * | 4nm – 25μm | 4nm – 30μm | 4nm – 30μm | 4nm – 50μm | 15nm – 30μm | 15nm – 50μm | 100nm – 50μm | – | ||
| 40X- UV/NIR * | 4nm – 4μm | 4nm – 4μm | 4nm – 5μm | 4nm – 6μm | – | – | – | – | ||
| 50X- VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm – 5μm | 15nm – 5μm | 100nm – 5μm | – | ||
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Min. Thickness for n & k | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | – | ||
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Thickness Accuracy **2 | 0.1% or 1nm | 0.2% or 2nm | 3nm or 0.3% | |||||||
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Thickness Precision **3/4 | 0.02nm | 0.02nm | <1nm | 5nm | ||||||
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Thickness stability **5 | 0.05nm | 0.05nm | <1nm | 5nm | ||||||
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Light Source | Deuterium & Halogen | Halogen (internal), 3000h (MTBF) | ||||||||
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Min. incremental motion | 0.6μm | |||||||||
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Stage repeatability | ±2μm | |||||||||
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Absolute accuracy | ±3μm | |||||||||
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Material Database | > 700 different materials | |||||||||
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Wafer size | 2in-3in-4in-6in-8in | |||||||||
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Scanning Speed | 100meas/min (8’’ wafer size) | |||||||||
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Tool dimensions / Weight | 700x700x200mm / 45Kg | |||||||||
測(cè)量區(qū)域光斑（收集反射信號(hào)的區(qū)域）與物鏡和孔徑大小有關(guān)▼
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物鏡 |
Spot Size (光斑) | ||
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放大倍率 |
500微米孔徑 |
250微米孔徑 |
100微米孔徑 |
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5x | 100 μm | 50 μm | 20 μm |
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10x | 50 μm | 25 μm | 10 μm |
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20x | 25 μm | 15 μm | 5 μm |
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50x | 10 μm | 5 μm | 2 μm |
*1規(guī)格如有變更，恕不另行通知，*2與校正過(guò)的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測(cè)量結(jié)果匹配，*3超過(guò)15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差平均值，樣品:硅晶片上1微米SiO2，*4標(biāo)準(zhǔn)偏差100次厚度測(cè)量結(jié)果，樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內(nèi)每日平均值的2*標(biāo)準(zhǔn)差。樣品:硅片上1微米SiO2。
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