光刻機(jī)就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

 

　　這就是光刻機(jī)的作用，類似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。

 

　　光刻機(jī)技術(shù)是一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術(shù)蝕劑為中間媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，然后把圖像信息傳遞到晶片或介質(zhì)層上的一種工藝。

 

　　光刻機(jī)的技術(shù)分類：

　　1、光學(xué)光刻：

　　在光學(xué)光刻中，光致抗蝕劑通過(guò)光掩模用紫外光曝光。此方法可以圖案化多種功能，但分辨率有限。為了獲得更高的分辨率，使用了較短波長(zhǎng)的光（G線435.8nm，H線404.7nm，I線265.4nm）。我們有這個(gè)光學(xué)光刻系統(tǒng)；

　　接觸光刻：利用我們提供的系統(tǒng)，最小特征約為0.8μm，蕞小對(duì)準(zhǔn)公差約為0.5μm。

　　2、電子束光刻：

　　代替在光學(xué)光刻中使用光源，電子束（電子束）光刻利用電子束在樣品上生成圖案。由于波長(zhǎng)短得多，因此我們可以實(shí)現(xiàn)更高的分辨率；但是，由于它是單個(gè)電子束寫入樣品，因此在樣品上生成圖案所需的時(shí)間更長(zhǎng)。使用標(biāo)準(zhǔn)抗蝕劑，電子束工具可以實(shí)現(xiàn)蕞小7 nm的特征以及1nm的對(duì)準(zhǔn)公差。這是直接寫技術(shù)。

　　3、軟光刻：

　　這將使用預(yù)先生成的模具作為基礎(chǔ)來(lái)創(chuàng)建三維結(jié)構(gòu)。將諸如聚二甲基硅氧烷（PDMS）之類的軟材料倒入模具中并固化。當(dāng)它從表面剝離時(shí)，它保持了陰模的狀態(tài)。PDMS材料通常附著到另一層，例如玻璃或另一層PDMS。軟光刻通常與較大的特征器件相關(guān)聯(lián)。具有20至5000 μm范圍內(nèi)的特征的微流體系統(tǒng)通常是使用軟光刻技術(shù)生產(chǎn)的。另外，我們的用戶通過(guò)稱為納米壓印光刻的技術(shù)使用該技術(shù)來(lái)生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)。

　　4、直接光刻：

　　如果圖案僅將被使用一次，則直接產(chǎn)生比在模板上產(chǎn)生用于在樣品上產(chǎn)生圖案的掩模更為經(jīng)濟(jì)。直接寫入用于創(chuàng)建光刻掩模，還可以用于生成不同的高度或灰度特征。我們可以使用設(shè)備進(jìn)行直接光刻印刷。

　　無(wú)掩模光刻：使用我們的無(wú)掩模光刻系統(tǒng)，我們可以實(shí)現(xiàn)蕞小2μm的特征和0.5μm的對(duì)準(zhǔn)公差。