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掩模對準光刻系統(tǒng)

簡要描述:EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在最小的占位面積上提供了優(yōu)于其他品牌的掩模對準技術(shù),并具有最高的產(chǎn)能,先進的對準功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,最短的掩模和工具更換時間以及高效的全球服務和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統(tǒng)有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能。

  • 產(chǎn)品型號:EVG6200 NT
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:
  • 更新時間:2024-03-19
  • 訪  問  量: 2752

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詳細介紹

特色:EVG ® 6200 NT掩模對準器為光學雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達200毫米。

技術(shù)數(shù)據(jù):EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在最小的占位面積上提供了優(yōu)于與其他品牌的掩模對準技術(shù),并具有最高的產(chǎn)能,先進的對準功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,最短的掩模和工具更換時間以及高效的全球服務和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統(tǒng)有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能,可在廣泛的應用中實現(xiàn)出色的曝光效果,例如薄和厚光刻膠的曝光,深腔和類似地形的圖案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半導體)的加工。此外,半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。


EVG6200 NT特征:

晶圓/基板尺寸小到200 mm / 8''

系統(tǒng)設(shè)計支持光刻工藝的多功能性

在第一次光刻模式下的吞吐量高達180 WPH,在自動對準模式下的吞吐量高達140 WPH

易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列

自動原點功能,用于對準鍵的精確居中

具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準功能

支持最新的UV-LED技術(shù)

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)

自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能

可以從半自動版本升級到全自動版本

最小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言)

先進的軟件功能以及研發(fā)與全面生產(chǎn)之間的兼容性

便捷處理和轉(zhuǎn)換重組

遠程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性

臺式或帶防震花崗巖臺的單機版


EVG6200 NT附加功能:

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻(NIL)


EVG6200 NT技術(shù)數(shù)據(jù):

曝光源

汞光源/紫外線LED光源

先進的對準功能

手動對準/原位對準驗證

自動對準

動態(tài)對準/自動邊緣對準

對準偏移校正算法


EVG6200 NT產(chǎn)能:

全自動:第一批生產(chǎn)量:每小時180片

全自動:吞吐量對準:每小時140片晶圓

晶圓直徑(基板尺寸):高達200毫米


對準方式:

上側(cè)對準:≤±0.5 µm

底側(cè)對準:≤±1,0 µm

紅外校準:≤±2,0 µm /具體取決于基板材料

鍵對準:≤±2,0 µm

NIL對準:≤±3.0 µm

曝光設(shè)定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補償:全自動軟件控制

曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光


系統(tǒng)控制

操作系統(tǒng):Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數(shù)

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR

實時遠程訪問,診斷和故障排除

工業(yè)自動化功能:盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術(shù):SmartNIL


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