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6EZ晶圓載具設計的優(yōu)勢：
·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料（如SiC）的經驗
·6EZ SiC拋光機是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設計的SiC CMP工具
·競爭對手的拋光機基本上是為拋光硅集成電路而設計的，這有一套非常不同的要求
·6EZ與其競爭對手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設計
布局和功能：
綜合清潔站
·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學品
·高壓噴淋棒（10psi）
晶圓翻轉
·濕式機器人實現雙面拋光
濕式轉運站
·DIW和化學沖洗
三臺200rpm拋光臺，帶拋光臺和拋光墊冷卻（5oC）
·專用載體、護墊調節(jié)劑和護墊清潔劑
·兩種漿料的流量控制器
·每張桌上的化學清潔劑（第三種漿料可選）
漿料分配臂
調節(jié)臂和盤片
優(yōu)化晶圓載體
·基于經驗證的ViPRR技術的設計
晶圓處理
·全自動C2C晶圓
·邊緣抓握干式機器人搬運
·最多50片晶圓，無需操作員干預
晶圓載體對照表
| 項目 | 6EZ(板＋萬向節(jié)) | 競爭對手(薄膜) | 影響 |
| 晶圓載體設計 | 板+萬向節(jié)設計(適用于SiC) | 基于膜的設計(適用于硅薄膜) | 6EZ從頭開始為SiC設計 |
| 拋光下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(設計強勁，無RR力) | 較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱，RR力降低拋光力) | MRR |
| 可靠性 | 穩(wěn)健設計，可靠性高 | 膜可能會意外失效（破裂） | 正常運行時間，成本（膜成本高） |
| 扣環(huán)設計 | 扣環(huán)不接觸拋光墊；沒有晶圓溢出 | 扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓) | |
| 下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓) | 較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半) | MRR |
| 扣環(huán)磨損 | 襯墊上最小的RR磨損可延長實用壽命 | 高RR磨損率降低使用壽命 | 正常運行時間，成本 |
| 襯墊磨損 | 延長極板壽命 | RR摩擦縮短襯墊壽命 | 正常運行時間，成本 |
| 襯墊調節(jié) | 所需的襯墊調節(jié)時間更短 | 需要更多的襯墊調節(jié)時間 | 正常運行時間，成本 |
| 熱量產生 | 扣環(huán)摩擦不會產生熱量 | 必須清除擋圈摩擦產生的熱量 | 薄膜設計具有更高的襯墊過熱風險(工藝風險) |
| 區(qū)域控制 | 晶圓上的2個區(qū)域，可調節(jié) | 晶圓上的2個區(qū)域，可調節(jié) |
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